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  • BUSSMANN歐標(biāo)方體170M系列熔斷器全新現(xiàn)貨
    BUSSMANN歐標(biāo)方體170M系列熔斷器全新現(xiàn)貨

    Bussmann創(chuàng)建于1914年美國,現(xiàn)在是Eaton伊頓旗下品牌,主要產(chǎn)品包括:Bussmann熔斷器、快速熔斷器、超級電容、Bussmann固態(tài)控制器、Bussmann保險絲、Bussmann斷開...

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  • 巴斯曼BUSSMANN方體熔斷器原裝現(xiàn)貨供應(yīng)
    巴斯曼BUSSMANN方體熔斷器原裝現(xiàn)貨供應(yīng)

    熔斷器(fuse)是指當(dāng)電流超過規(guī)定值時,以本身產(chǎn)生的熱量使熔體熔斷,斷開電路的一種電器。熔斷器是根據(jù)電流超過規(guī)定值一段時間后,以其自身產(chǎn)生的熱量使熔體熔化,從而使電路斷開;運(yùn)用這種原理制成的一種電流...

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  • 熔斷器現(xiàn)貨供應(yīng)巴斯曼bussmann
    熔斷器現(xiàn)貨供應(yīng)巴斯曼bussmann

    熔斷器(fuse)是指當(dāng)電流超過規(guī)定值時,以本身產(chǎn)生的熱量使熔體熔斷,斷開電路的一種電器。熔斷器是根據(jù)電流超過規(guī)定值一段時間后,以其自身產(chǎn)生的熱量使熔體熔化,從而使電路斷開;運(yùn)用這種原理制成的一種電流...

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  • 巴斯曼bussmann熔斷器原裝正品現(xiàn)貨供應(yīng)
    巴斯曼bussmann熔斷器原裝正品現(xiàn)貨供應(yīng)

    熔斷器(fuse)是指當(dāng)電流超過規(guī)定值時,以本身產(chǎn)生的熱量使熔體熔斷,斷開電路的一種電器。熔斷器是根據(jù)電流超過規(guī)定值一段時間后,以其自身產(chǎn)生的熱量使熔體熔化,從而使電路斷開;運(yùn)用這種原理制成的一種電流...

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  • 巴斯曼BUSSMANN熔斷器現(xiàn)貨供應(yīng)
    巴斯曼BUSSMANN熔斷器現(xiàn)貨供應(yīng)

    熔斷器是電力系統(tǒng)中常見的一種安全裝置,用于保護(hù)電氣設(shè)備和電力系統(tǒng)設(shè)施免受電流過載或故障電流引起的損壞。它主要由熔斷器體、熔斷器芯和觸發(fā)機(jī)構(gòu)等組成。巴斯曼BUSSMANN熔斷器現(xiàn)貨供應(yīng)

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  • 晶閘管模塊ABB現(xiàn)貨供應(yīng)
    晶閘管模塊ABB現(xiàn)貨供應(yīng)

    晶閘管模塊ABB現(xiàn)貨供應(yīng),ABB是半導(dǎo)體科技公司,致力于打造一個更加便利、安全和環(huán)保的世界。我們提供全面的半導(dǎo)體解決方案,實現(xiàn)高效的能源管理、智能出行以及安全、無縫通信,連接現(xiàn)實與數(shù)字世界。

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  • DACO模塊現(xiàn)貨供應(yīng)原裝正品
    DACO模塊現(xiàn)貨供應(yīng)原裝正品

    整流二極管(rectifier diode)一種用于將交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姷陌雽?dǎo)體器件。二極管最重要的特性就是單方向?qū)щ娦?。在電路中,電流只能從二極管的正極流入,負(fù)極流出。通常它包含一個PN結(jié),有正極和...

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  • MICROSEMI模塊現(xiàn)貨供應(yīng)原裝正品Microchip
    MICROSEMI模塊現(xiàn)貨供應(yīng)原裝正品Microchip

    整流二極管(rectifier diode)一種用于將交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姷陌雽?dǎo)體器件。二極管最重要的特性就是單方向?qū)щ娦?。在電路中,電流只能從二極管的正極流入,負(fù)極流出。通常它包含一個PN結(jié),有正極和...

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  • 三菱模塊IPM模塊現(xiàn)貨供應(yīng)原裝正品
    三菱模塊IPM模塊現(xiàn)貨供應(yīng)原裝正品

    整流二極管(rectifier diode)一種用于將交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姷陌雽?dǎo)體器件。二極管最重要的特性就是單方向?qū)щ娦?。在電路中,電流只能從二極管的正極流入,負(fù)極流出。通常它包含一個PN結(jié),有正極和...

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  • 三菱模塊可控硅模塊現(xiàn)貨供應(yīng)
    三菱模塊可控硅模塊現(xiàn)貨供應(yīng)

    三菱模塊可控硅模塊現(xiàn)貨供應(yīng),絕緣柵雙極晶體管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)綜合了電力晶體管(Giant Transistor—GTR)和電力場效應(yīng)晶體管...

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